CHO-SHIELD 579是CHO-的低VOC版本盾596。像CHO-SHIELD 596,CHO-SHIELD579是两个成分,填充银,导电配方可提供EMI屏蔽的环氧涂料和塑料上的电气接地基材。这是一个很好的材料选择耐化学腐蚀的塑料或其他难以粘附的塑料到基材上。此外,CHO-SHIELD 579可能会用于提供兼容的导电金属用于镀银填充EMI屏蔽的涂层铝法兰的垫片。通过形成障碍在铝基板上,这种银
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CHO-SHIELD 579是CHO-的低VOC版本盾596。像CHO-SHIELD 596,CHO-SHIELD579是两个成分,填充银,导电配方可提供EMI屏蔽的环氧涂料和塑料上的电气接地基材。这是一个很好的材料选择耐化学腐蚀的塑料或其他难以粘附的塑料到基材上。此外,CHO-SHIELD 579可能会用于提供兼容的导电金属用于镀银填充EMI屏蔽的涂层铝法兰的垫片。通过形成障碍在铝基板上,这种银环氧树脂涂层可减少整体电腐蚀EMI垫片/铝制法兰系统。CHO-SHIELD 579表现出众环境稳定,保持电气导电性,附着力和耐磨性承受高温和低温时极端,高湿度和盐雾腐蚀环境。
典型的应用包括军事和军事商业电子外壳,导弹罐,便携式电子产品,雷达系统,航空电子箱,发动机和铝制法兰和结构。
二、特点和优点
• 两种成分
• 片状银填料
• 低挥发性有机化合物
• 环氧涂层
• 预先测量的试剂盒可轻松混合一个容器中的组件。使用寿命长(8小时)
• 优异的导电性和EMI屏蔽组件
• 挥发性有机化合物比CHO-SHIELD 596(376 g / L)低35%
• 涂层保持电气和机械性能在恶劣环境下保持稳定。 良好的化学/防潮层。 硬质耐磨涂层。符合军用规格MIL-C-22750
CHO-SHIELD 579-应用信息
以100份A与32.2份B和溶剂混合物的比例混合A和B部分。 ***应加入溶剂混合物以达到喷涂粘度为18至24秒(使用Zahn#2杯)。 B部分和溶剂温和剂应始终添加到A部分中以最大程度地减少浪费。 要施加涂层,请使用具有约20-40psi(138-276kPa)雾化空气的标准HVLP喷枪和最小喷口直径为0.040英寸(1.016毫米)的流体喷嘴。
涂层应准备好混合使用。 注意:过稀会降低电气性能并可能抑制喷涂。 应用涂层至1.0密耳的厚度(干时2密耳的湿膜约为1密耳)。 涂层之间需要30分钟的溶剂闪蒸。最后的涂层应在室温下干燥至少一小时,然后再进行固化。 咨询Parker Chomerics应用协助部门。
表1 CS 579的薄型化应用
CS 579 A部分的重量(克) | CS 579 B部分的重量(克) | 溶剂混合物的重量(克) |
100 | 32.2 | 请参阅应用信息 |
349* | 112* | 请参阅应用信息 |
注意:在喷涂CHO-SHIELD 579之前,将化合物老化混合后在室温下至少放置1小时。
表1典型特性
CHO-SHIELD 579 | ||
典型特性 | 典型值 | 测试方法 |
聚合物 | 环氧胶 | N/A |
填料 | 银 | N/A |
混合比例(A:B,按重量计) | 100 : 32.2 | N/A |
颜色 | 银 | N/A (Q) |
喷雾粘度 | 18至24秒 | 扎恩杯2号 (Q) |
表面电阻(最大)在0.001英寸(25 pm,1 mil) | <= 0.060欧姆/平方 | CEPS-0002 (Q/C) |
屏蔽效能 | >90 dB (80 MHz to 18 GHz) | CHO-TM-TP11* (Q) |
推荐干膜厚度 | .001英寸(下午25点) | N/A |
湿密度 | 1.7 | ASTM D792 (Q/C) |
连续使用温度 | -40至150°C(-40至302°F) | N/A (Q) |
适用期 | 8.0小时 | N/A (Q) |
干燥时间-室温无粘性 | 1.0小时@ 21°C(70°F) | N/A |
干燥时间-室温下完全干燥** | 1周@ 21°C(70°F) | N/A |
干燥时间-高温完全干燥 | 固化周期选项1:在21°C(70°F)时为0.5 hr,然后在121°C(250°F)的情况下为1.0 hr。固化周期选项2:21°C(70°F)时为0.5 hr。 hr @ 66°C(150°F(华氏度)) | N/A |
自生产日期起未开封的21°C(70°F)的货架寿命 | 9个月*** | N/A (Q) |
计算的VOC | 376克/升 | 已计算 |
推荐干膜厚度下的理论覆盖率 | 0.088平方英尺/克0.0082平方米/克571平方英尺/加仑 | N/A |
CHO-SHIELD 579-产品信息
CHO-SHIELD 579屏蔽效能,按CHO-TM-TP11 *